Ученые Политеха разработали перспективный полупроводник для электроники

Ученые Санкт-Петербургского Политехнического университета Петра Великого разработали оригинальный метод оценки радиационной устойчивости оксида галлия, который может стать перспективным полупроводником для электроники нового поколения. Об этом сообщил губернатор Александр Беглов.  

«Петербург и наши ученые подтверждают — город готов к выполнению поручений президента России по развитию отечественной микроэлектроники, которые глава государства дал на совещании в четверг. Исследования ученых Политеха и их уникальный результат — очередное подтверждение высокого потенциала петербургских ученых», — подчеркнул градоначальник.  

Исследователи, совместив два ранее не сочетавшихся подхода, смогли получить инструмент, который создает основу для минимизации негативных последствий в технологическом процессе при производстве диодов, транзисторов и других элементов. Как отметили в Смольном, открытие ученых предоставляет новые возможности в разработке приборов для космической сферы.  

В экстремальных условиях высокая радиационная стойкость оксида галлия делает его идеальным материалом для электроники, применяемой в космосе, а также для систем управления энергопотоками на АЭС. Материал может помочь в создании полупроводниковых переключателей, фотодетекторов и датчиков нового поколения.