Петербургские физики запатентовали устройство получения силицена

Ученые ресурсного центра «Физические методы исследования поверхности» научного парка Санкт-Петербургского государственного университета первыми в России разработали и запатентовали устройство для получения силицена — перспективного для микроэлектроники наноматериала. Об этом проинформировала пресс-служба СПбГУ.

Материал призван повысить быстродействие и снизить электропотребление различных электронных устройств — от мобильных телефонов до компьютеров.

«Особенность технологии заключается в формировании однослойного силицена — от аналогов наша разработка отличается увеличенным размером нанокристаллических доменов, достигающим 100 нм на 100 нм», — объяснил профессор кафедры электроники твердого тела СПбГУ Алексей Комолов.

Синтез силицена проводят методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Этот процесс основан на термическом распылении холодного материала. Атомный или молекулярный пучок распыленного материала направляют на поверхность подложки, где частицы откладываются и образуют тонкий слой пленки.

Петербургские ученые наносили атомарный поток кремния на нагретую до 200 градусов подложку вольфрама с предварительно нанесенным методом молекулярно-лучевой эпитаксии слоем серебра. За счет миграции атомов кремния на поверхности нагретой подложки удалось получить однослойный силицен, а крупные кристаллические домены вещества удалось сформировать за счет структурных параметров слоя серебра.